圖片來源：Georgia Institute of Technology

　　近日，在一項發(fā)表于《自然》（Nature）的研究中，天津大學(xué)和美國佐治亞理工院合作創(chuàng)造了由石墨烯制成的功能半導(dǎo)體。此前，

科學(xué)家一直沒有制備出具有帶隙的石墨烯半導(dǎo)體。如今，研究團隊使用一種特殊的熔爐，在碳化硅晶圓上生長出了外延石墨烯。外延

石墨烯可以與碳化硅發(fā)生化學(xué)鍵合，由此開始表現(xiàn)出半導(dǎo)體特性。然后，他們將一些原子放在合成的石墨烯上，利用摻雜技術(shù)向該系統(tǒng)

“捐”電子，以測量其電子特性。結(jié)果表明，他們的石墨烯半導(dǎo)體的遷移率是硅的10倍。換句話說，電子以非常低的阻力移動，這在

電子學(xué)中意味著更快的計算。這種新的石墨烯半導(dǎo)體，或能帶來比如今硅芯片性能更好的芯片，并為開發(fā)全新電子產(chǎn)品打開大門。